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中国科学院半导体研究所

更新时间:2019-06-12

      但先天性心脏病不需手术者或者经手术治愈者,合格。    第十二条慢性支气管炎伴阻塞性肺气肿、支气管扩张、支气管哮喘,不合格。

  给孩子立规矩,用规矩说服孩子而不是用道理说服他们,一定让孩子感受到,爸爸妈妈只是不认可他们这么做这件事情,而不是改变了对他们的爱,这也是关键所在。文/本报记者 武文娟(话题征集:在育儿的过程中,您有哪些困惑、迷茫?请您与我们联系,可在教育圆桌微信公众号上留言,我们将在第一时间予以回复,并针对您的话题进行探讨。)(责任编辑:谭滢)现在越来越多的普通学生,把举重作为一种锻炼方式。

中国科学院半导体研究所

牛智川,男,1963年4月生。 1996年获得中国科学院半导体研究所理学博士学位。

曾留学德国、美国。

现任中科院半导体所研究员,博士生导师,半导体超晶格国家重点实验室—新型光电材料分子束外延课题组长。 基金委“国家杰出青年科学基金”、人事部“新世纪百千万人才工程国家级人选(首批)”、“国务院政府特殊津贴”获得者。

中国真空学会纳米与表面第五届学术委员会委员,中国真空学会第六届理事会理事,中国电子学会半导体与集成技术第七届委员会委员。

研究领域为半导体低维材料外延生长、受限光电子体系量子效应、高性能光电器件及新型量子器件制备。

目前研究方向有:InAs量子点非经典光电效应及单光子量子器件;GaAs基InGaAsNSb材料与光电器件;异变纳米结构半导体多结高效太阳能电池、InAs/GaSb超晶格光电探测器件等。 利用高指数面图形衬底各向异性,用原子氢辅助分子束外延生长出AlGaAs/GaAs量子点列阵;发现液滴分子束外延GaAs/AlGaAs非应变和InGaAs/GaAs应变量子环形成现象;提出InAs量子点的亚单原子层循环变温外延技术,大幅度提高均匀性,实现低、高密度量子点可控生长;研制成功微米InAs量子点室温连续激光器,液氮温度电驱动InAs量子点单光子发射器件;研究GaInAs(N,Sb)/GaAs长波长材料,提出电子结构模型阐明含Sb元素稀N材料发光机制,发明真空气源瞬态开关控制技术突破外延生长难题;研制成功微米垂直腔面发射激光器、微米谐振腔增强探测器、国际上首次报道微米室温连续激射激光器;研究了InGaAs/GaAs大In组分异变量子阱材料,提出In组分线性变化生长技术,首次实现低阈值微米异变量子阱激光器,采用Sb诱导生长微米InGaAs/GaAs量子阱激光器实现室温激射。

提出GaAs基AlSb成核和GaSb厚膜两步外延法,生长出了高质量GaSb/GaAs异变材料,国内首次报道2-5微米InAs/GaSb超晶格光导红外探测器。

在Nature,AppliedPhysicsLetter,PhysicsReviewB.等发表论文80多篇。

研究成果受到英国III-VsReview,CompoundSemiconductor,美国TechniqueInsights,LaserFocusWorld等权威评价。 获2006年度北京市科学技术奖基础类二等奖1项(排名第1)。

有多名研究生获得中科院优秀奖和冠名奖。 与瑞典、英国、俄罗斯等多个著名课题组开展了广泛国际合作,联合培养的博士生曾获得国家优秀留学生奖。

  归本主义风格的居室设计手法探究[J].现代装饰(理论),2016,(07):52.[2017-10-10].  [29]刘翔宇,周美玉。朴门永续理念下的生态景观设计策略浅析--以华理闲置地景观设计为例[J].设计,2016,(13):19-21.(2016-07-11)[2017-10-10].http:///kcms/detail/  [30]朱磊。

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